中科院院士：中国光刻技术与国外差距15-20年

IT前沿9月17日消息 据半导体投资联盟报道，9月17日，2019中国集成电路设计大会在青岛市崂山区正式召开，中科院院士刘明在演讲中指出，国内的光刻技术与国外技术差距仍为15～20年，是集成电路领域中差距最大的环节。

关于光刻胶技术，刘明表示，我国在EUV光源、多层膜、掩膜、光刻胶、超光滑抛光技术等方面取得了一些研究进展。但总的来说，国内的光刻技术与国外技术差距仍为15～20年，是集成电路领域中差距最大的环节。

在逻辑器件方面，刘明指出，国内在低功耗新原理逻辑器件的机理、模型、材料、结构和集成技术上开展了前瞻性研究。国内优势企业、高校和研究所在硅基逻辑器件的成套先导技术上开展了系统研究，为产业发展提供了技术知识产权的帮助。

另外，刘明还表示，中国在新型存储器前沿和关键技术等方面均开展了系统研究；学术界与产业界合作紧密，开发了RRAM、PRAM和MRAM的大规模集成工艺。

最后，刘明强调，IC的快速发展是信息化的核心和基础，器件持续微缩的More than Moore路线，我国很难实现超越，但这是创新的基础，必须夯实，没有弯道可走。

据悉，目前荷兰ASML公司的EUV光刻机已经可以制造7nm及以下工艺，但是国内的光刻机只能做到90nm工艺级别，多数是用在低端生产线上，或者是面板生产线上。