台积电：摩尔定律依然有效 晶体管将能做到0.1纳米

8月23日下午消息，据台湾地区《经济日报》报道，台积电研发负责人、技术研究副总经理黄汉森表示，毋庸置疑的，摩尔定律依然有效且状况良好，它没有死掉、没有减缓、也没有带病，并透露晶体管将能做到0.1纳米。

1965年提出的摩尔定律（Moores Law）引领半导体发展超过半世纪，这个定律主要是指芯片上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。

但摩尔定律有没有走到极限？走到极限未来会是什么样的发展？这是近几年来全球科技界业讨论相当多的问题。

近几年，互补金属氧化物半导体（CMOS）先进制程中，最新几代纳米节点的功耗改善程度，已出现明显的放缓。科技界观察到，从45纳米到14纳米的节能数据可以看出，虽然每一代制程，芯片的面积变得越来越小，但能够达到的能耗缩减幅度却越来越小，尤其在14纳米初期最为明显。近二、三年进入更先进的10纳米制程，也有类似状况。这不禁让人忧心，摩尔定律是否即将走到尽头？

对此，在本周开幕的第31届HotChips大会专题演讲中，台积电研发负责人、技术研究副总经理黄汉森表示，摩尔定律依然有效且状况良好。

对于未来的技术路线，黄汉森认为像碳纳米管（1.2nm尺度）、二维层状材料等可以将晶体管变得更快、更迷你；同时，相变存储器（PRAM）、旋转力矩转移随机存取存储器（STT-RAM）等会直接和处理器封装在一起，缩小体积，加快数据传递速度；此外还有3D堆叠封装技术。

黄汉森强调，社会对先进技术的需求是无止境的，他还强调，除了硬件，软件算法也需要迎头赶上。